IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)、绝缘栅双极晶体管是由BJT(双极三极管)和MOS(绝缘栅场效应管)组成的复合全控电压驱动功率半导体器件，具有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流大；MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，驱动功率小，饱和压降低。它非常适用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT由三个极控制:栅极(G)、发射极(E)和集电极(C)。IGBT的开关功能是通过增加正极电压形成通道，为PNP晶体管提供基极电流，导致IGBT。相反，添加反向门极电压消除通道，切断基极电流，关闭IGBT。如果在IGBT的栅极和发射极之间极和发射极之间，则MOSFET导通，使PNP晶体管的集电极和基极之间处于低阻状态，使晶体管导通；如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使晶体管截止。

如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，IGBT无法稳定工作，如果过高甚至超过栅极与发射极之间的耐压，IGBT可能会损坏。同样，如果IGBT集电极和发射极之间的电压超过允许值，流过IGBT的电流就会超过限制，导致IGBT结温超过允许值，此时IGBT也可能损坏。

IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前市场上销售的产品大多是这样的模块化产品。一般来说，IGBT也指IGBT模块；随着节能环保理念的推广，这类产品在市场上会越来越普遍。

在判断IGBT的质量时，必须选择指针式万用表(电子式万用表内部电池电压过低)或9V电池。先将万用表拨到R×10Kω档(R×1Kω档时，内部电压过低，不足以导通IGBT)，用黑表笔连接IGBT的集电极(C)，红表笔连接IGBT的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。使用手指同时触摸栅极(G)和集电极(C)，此时IGBT被触发导通，万用表的指针明显摆动，指向阻值较小的方向，并能保持在某个位置。接着用手指同时触摸栅极(G)和发射极(E)，此时IGBT被阻断，万用表指针回零。上述现象在检测中都是一致的，可以判断IGBT是好的，否则IGBT就会出现问题。伴随着电子信息技术的发展，封装小型化和装配高密度化对产品的要求也越来越严格，为了满足市场对产品更严格的要求，X-RAY检测设备成为最典型的代表之一，它不仅能检测到无形的锡球焊点(如BGA、IGBT、IC等)，而且可以根据检测后的产品及时分析，以便尽早发现产品故障。

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